Guoyou Liu
Vice Chief Engineer, CRRC Zhuzhou Semiconductor

Biography

刘国友，博士，教授级高级工程师，中车首席技术专家。株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师，新型功率半导体器件国家重点实验室常务副主任，“IGBT技术创新与产业化”国家重点领域创新团队负责人。

主持国家重点支撑计划、02专项、国家重点研发计划项目与课题10余项。在特高压直流输电晶闸管、大功率IGBT技术研究与产业化等方面做出重大贡献。主持研究开发了世界上第一只特高压直流输电晶闸管并实现工程应用与产业化；创立功率半导体英国研发中心，率先突破高压IGBT关键技术，自主设计并主持建成了全球第一条8英寸高压IGBT芯片生产线，实现高压IGBT芯片制造从6英寸到8英寸的技术跨越，有力支撑了高铁、智能电网等高端装备产业的健康可持续发展。

申报国家发明专利100余项，已获授权专利50余项，在国内外核心期刊发表论文50余篇；获国家科技进步二等奖、中国电源学会技术发明特等奖、中国电子学会科技进步一等奖、中国铁道学会特等奖等10余项国家、省部级奖励，2015中国电子学会“十佳优秀科技工作者”。