Hongming PAN 潘宏明
北京晶亦精微科技股份有限公司，CMP技术应用与开发经理

讲师简介 / Speaker Bio

担任北京晶亦精微科技股份有限公司CMP技术应用与开发经理，在半导体集成电路制造行业执业多年，在传统硅基成熟与先进工艺平台和第三代半导体SiC衬底以及器件制造平坦化工艺开发方面有着丰富的实践经验。

摘要 / Abstract

第三代半导体SiC以宽禁带间隙（3eV）、耐击穿场强（3~5mV/cm）、高导热率（4.9W/cm*K）、高工作结温等特性成为制造功率半导体的优良材料，随着全球新能源汽车消费需求的拉动，SiC产业链成为高速增长的新市场，据YOLE报道2023年至2029年功率SiC市场规模的年复合增长率为~24%。而制造可靠高效功率SiC器件需要质量优良的衬底，以减少SiC衬底与外延层的界面缺陷带来的可靠性方面的潜在威胁。本报告针对经过切、磨、抛之后的衬底进行化学机械平坦化工艺，以进一步去除表面损伤曾而得到光滑平整的表面，经过检测Si面表面粗糙度Ra ~0.1nm，晶圆面内表面（<5mm）宏观划伤≤2，晶圆面内（>0.3um）颗粒物≤20。