Dr. Jeffrey Wang 王庆宇
CEO, Advanced Micro Semiconductors Co., Ltd.
新微半导体CEO

摘要 / Abstract

受益于新能源变革及5G和数字化浪潮等新需求的发展，宽禁带半导体迎来新一轮的创新升级机遇。氮化镓作为宽禁带半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、高击穿场强和高迁移率等特性，拥有更低的导通电阻，在高频率和高效能方面表现特别突出，开启功率半导体的高效能时代。

本次演讲主要从宽禁带半导体发展背景下，围绕氮化镓功率器件性能、市场、技术和应用等行业热点问题，阐述硅基氮化镓功率器件的产业发展现状，并对未来发展趋势进行展望。

过去几年，氮化镓功率在快充领域的崛起使产业快速发展，越来越多的公司采用氮化镓解决方案。未来，在推动快充市场发展的同时，氮化镓在消费电子、数据中心、汽车电子、新能源和储能等领域应用也将进一步发展。随着技术的不断进度和可靠性的不断提升，未来氮化镓在功率半导体领域的发展前景将愈加广阔。