功率及化合物半导体论坛2017

功率及化合物半导体论坛
日期:	2017年3月15-16日
地点:	上海浦东嘉里大酒店，浦东大宴会厅4
地址:	上海市浦东新区花木路1388号
	现场提供中英文同声传译

重要通知：此会议为两天会议，注册时选择任意一天的会议即可参加两天的全部议程。

从以硅为代表的第一代半导体开始，到以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）宽禁带材料为代表的第三代半导体。功率及化合物半导体对人类社会和科技影响越来越巨大，应用涵盖半导体照明、激光、显示、移动通讯、消费电子、绿色能源、现代交通等方方面面。

为响应产业需求，SEMI中国整合旗下资源，将于SEMICON China 2017 重磅推出“功率及化合物半导体论坛”，内容涵盖“LED及光电”、“宽禁带电力电子”、“化合物半导体及通讯”及“新型功率器件” 四个主题版块。

Day1-2017年3月15日

*Session1: LED及光电（原LED China 论坛）

SEMICON China 2017期间，原“LED China 论坛”将整合至SEMI旗下“功率及化合物半导体论坛”，议题更是引领业界前沿，涵盖 Micro-LED、激光、UV-LED及行业整合与并购等热点议题。

08:30-09:15	Registration  注册
	Session 1 Moderator / 主持人: Daniel Tracy Senior Director of IRS, SEMI
09:15-09:20	Welcome Remark  欢迎致辞
09:20-09:50	Keynote Speech  主旨演讲
	Status and Development Trend of GaN-on-Si LED Industry Chain 硅衬底LED产业链现状和发展方向 Min Wang  王敏 CEO, Lattice Power Corporation 晶能光电首席执行官
09:50-10:15	Gallium Nitride Lasers from a Manufacturing Perspective 从制造角度看氮化镓激光 Christian Schmid Project Manager, Osram Opto Semiconductors 欧司朗光电半导体，前端技术项目经理
10:15-10:40	The Development of Next Generation PixeLED Display Technology 次世代显示技术PixeLED的发展 Charles LI  李允立 CEO, PlayNitride 錼創科技，首席执行官
10:40-11:05	Design and evaluation of optical lens for PSS AOI System 用于PSS AOI的光学镜头的设计及评估 Aris MA  马铁中 CEO, AK OPTICS 昂坤视觉（北京）科技有限公司，首席执行官
11:05-11:30	Recent progress and future prospects on Bulk AlN crystal growth for Deep UV-LED applications 深紫外LED氮化铝衬底单晶生长技术最新进展及未来面临的挑战 Liang WU  吴亮 Chief Engineer, GCL 协鑫，首席工程师
11:30-12:00	Market and Research Trends for High Efficiency GaN based LEDs 高效率氮化物LED芯片市场及技术发展趋势 Jiangbo Wang  王江波 Vice President, HC SemiTek Corporation 华灿光电股份有限公司，副总裁
12:00-13:30	Break 休息

*Session2:宽禁带半导体电力电子

以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。

本次会议将邀请全球宽禁带半导体产业链上最具创新的公司，呈现宽禁带半导体制造前沿技术及在电力电子应用的最新趋势。

	Session 2 Moderator / 主持人: David Xiao  肖国伟 CEO of APT Electronics, Co-Chair of SEMI China LED Advisory Committee SEMI中国LED顾问委员会Co-Chair，广东晶科电子股份有限公司，CEO
13:30-14:00	GaN on Si – a truly revolutionary semiconductor technology matures 硅基氮化镓-一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术 Dr. Markus Behet Chief Marketing Officer, EpiGaN
14:00-14:30	Further advances in GaN and SiC epitaxial production technologies for efficient power semiconductor devices 用于高效电力电子半导体器件的GaN和SiC外延生产技术的进一步发展 Dr. Frank Wischmeyer Vice President Power Electronics, AIXTRON SE 德国爱思强股份有限公司，电力电子器件副总裁
14:30-15:00	Expectation for WBG power devices 对宽禁带功率器件的期望 Masakatsu Hoshi Senior Engineer, Nissan Motor Co., Ltd 日产汽车，高级工程师
15:00-15:30	The application of high density ICP etch equipment in new power devices manufacture 高密度ICP刻蚀机在新型功率器件制造中的应用 Yang Meng  杨盟 Product Director and Deputy GM of Etch Product Division, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co., Ltd. 北京北方华创微电子装备有限公司，刻蚀事业部副总经理
15:30-16:00	Efforts towards GaN power FETs in Sinopower Semiconductor 华功半导体GaN功率电子器件的产业化进程 Yang Liu  刘扬 Vice president, SINOPOWER SEMICONDUCTOR CO.,LTD. 江苏华功半导体有限公司技术副总裁
16:00-16:30	Power & RF Electronics commercialization through MOCVD advancements from Single Wafer Reactor technology 单片MOCVD技术发展推动功率&微波电子器件的商业化 Somit Joshi Sr. Director of Marketing in Veeco
16:30-17:00	GaN E-HEMT for the next era of power conversion 用于下一代电源转换的GaN E-HEMT Charles Bailley Senior Director, Asia, Sales, Mktg, & Apps, GaN Systems Inc.

Day2-2017年3月16日

*Session3: 化合物半导体及通讯

随着近几年智能移动终端出货量大增，化合物半导体市场增长明显加速，产业内相关公司营收增长迅速，而中国企业在市场爆发中错失增长红利，国产化进程箭在弦上。

本次会议探讨GaAs、GaN等化合物半导体技术在无线网络升级、卫星导航、汽车电子、物联网等应用浪潮中广阔市场空间和本土企业的机会。

	Session 3 Moderator / 主持人: Naiqian Zhang  张乃千 President, Dynax Semicondutor, Inc. 苏州能讯高能半导体有限公司，总裁
09:25-09:30	Welcome Remark  欢迎致辞 Lung Chu  居龙 President of SEMI China SEMI中国区总裁、SEMI全球副总裁
09:30-09:55	High volume 6”GaN/SiC HEMT technology for wireless communication applications 无线通讯用六寸氮化镓HEMT量产技术 Tim Yeh  叶念慈 Director, GaN TD Division, SANAN IC 三安集成电路，氮化镓技术开发处副总监
09:55-10:20	Development of high efficient and high reliable GaN RF Device for Mobile Application 应用于移动通讯的高效高可靠氮化镓射频器件开发 Yi Pei  裴轶 Director of Device Technology, Dynax Semiconductor 能讯高能半导体，器件技术总监
10:20-10:45	Pure Play GaN HEMT 0.45/0.25-um Technology Development for Wireless Application 稳懋半导体0.45/0.25 微米氮化鎵高速电子元件之发展 C.K. Lin  林正国 Director, WIN Semiconductors Corp. 稳懋半导体股份有限公司，总监
10:45-11:10	GaAs and GaN based device optimization by advanced epitaxial growth analysis 用于优化砷化镓、氮化镓器件的外延生长分析技术 Tom Thieme Director Marketing and Sales, LayTec AG
11:10-11:35	SiGe BiCMOS Process Technologies for Wireless Applications SiGe BiCMOS工艺技术的无线应用 Edward Preisler Towerjazz
11:35-12:00	A Multipurpose Millimeter Wave High Power and Low Noise GaN/Si Process for High Frequency Transmit-Receive MMICs LEBLANC Remy Director, Product Development, OMMIC
12:00-13:30	Break 休息
13:30-14:00	GaN and Related Materials for RF and Power Electronics Applications 氮化镓和相关材料的射频和电力电子应用 Wayne Johnson Vice President & Head of Power Business Unit, IQE

*Session4:新型功率器件

现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。IGBT、 MCT、 IEGT、SiC MOSFET 等电力电子器件的发展不断推陈出新，对材料和半导体制造工艺都提出了更高的要求。

中国企业如何抓住本土市场良机，缩短与英飞凌、ABB、罗姆、东芝、松下等国外巨头的差距，是亟待解决的问题。本次会议将整合设计、制造、封测及应用厂商，探讨行业的机会与挑战。

	Session 4 Moderator / 主持人: Jiye Yang  杨继业 Senior director, TD Integration Division I, HHGrace 华虹宏力集成一部总监
14:00-14:30	Device and packaging technologies for demanding high power applications 高功率应用对器件和封装技术的要求 Arnost Kopta Head of BiMOS R&D, ABB Switzerland Ltd, Semiconductors
14:30-15:00	Status of Development and Mass Production for SiC Power Device 碳化硅功率器件的发展和大规模生产的现状 Hiroshi Kanazawa  金泽博 Marketing Unit Manager, Showa Denko K.K. 昭和电工
15:00-15:30	The Future of Power Devices and Implications for Semi Equipment 功率器件的未来和半导体制造设备的启示 Durga Chaturvedula Managing Director, 200mm Product Mgmt. & Technology, Applied Materials
15:30-16:00	Demand, Status and Development Trend for Power Electronic Device 电力系统电力电子器件需求、现状及发展趋势 Yufeng Qiu  邱宇峰 Vice president, Global Energy Interconnection Research Institute 全球能源互联网研究院，副院长
16:00-16:30	Thin Film Processes for Si, SiC and GaN Power Devices 硅、碳化硅和氮化镓功率器件的薄膜工艺 Hans Auer Senior Product Marketing Manager, Evatec
16:30-17:00	Closing Keynote  闭幕演讲 Research of Power Semiconductor Devices with Novel Structures 新型结构晶体管及新一代功率芯片的研究 Pengfei Wang  王鹏飞 CTO, Oriental Semiconductor 东微半导体，首席技术官

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